SI7858ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.38 грн |
| 10+ | 200.93 грн |
| 100+ | 161.48 грн |
| 500+ | 124.51 грн |
| 1000+ | 106.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7858ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 29A; Idm: 60A; 5.4W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 12V, Drain current: 29A, Power dissipation: 5.4W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 3.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 80nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: 60A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7858ADP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7858ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|
| SI7858ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 29A; Idm: 60A; 5.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 29A Power dissipation: 5.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
|
|
SI7858ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
 |
SI7858ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V |
товару немає в наявності |
|
| SI7858ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 29A; Idm: 60A; 5.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 29A Power dissipation: 5.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |