SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 43.60 грн |
| 6000+ | 39.30 грн |
| 9000+ | 37.93 грн |
| 15000+ | 35.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.
Інші пропозиції SI7858BDP-T1-GE3 за ціною від 44.40 грн до 154.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7858BDP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7858BDP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7858BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V |
на замовлення 27418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7858BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 48W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SI7858BDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SI7858BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 48W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 169+ | 83.28 грн |
| 170+ | 82.99 грн |
| 172+ | 82.11 грн |
| 196+ | 69.14 грн |
| 250+ | 63.37 грн |
| 500+ | 51.94 грн |
| 1000+ | 49.41 грн |
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 94.12 грн |
| 10+ | 83.28 грн |
| 25+ | 83.00 грн |
| 50+ | 79.18 грн |
| 100+ | 64.01 грн |
| 250+ | 60.84 грн |
| 500+ | 51.94 грн |
| 1000+ | 49.41 грн |
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
на замовлення 27418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 154.72 грн |
| 10+ | 95.10 грн |
| 100+ | 64.59 грн |
| 500+ | 48.35 грн |
| 1000+ | 44.40 грн |
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)