SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 44.21 грн |
| 6000+ | 39.85 грн |
| 9000+ | 38.47 грн |
| 15000+ | 35.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7858BDP-T1-GE3 за ціною від 41.56 грн до 157.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7858BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7858BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7858BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7858BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7858BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V |
на замовлення 27418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7858BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI7858BDP-T1-GE3 |
|
на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| SI7858BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| SI7858BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 40A; Idm: 70A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |