Продукція > VISHAY > SI7884BDP-T1-E3
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3 Vishay

si7884bd.pdf Виробник: Vishay
SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.42 грн
106+114.98 грн
107+114.74 грн
108+109.31 грн
250+99.98 грн
500+94.80 грн
1000+93.62 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7884BDP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI7884BDP-T1-E3 за ціною від 100.30 грн до 282.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+132.24 грн
10+123.19 грн
25+122.93 грн
100+117.12 грн
250+107.12 грн
500+101.57 грн
1000+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7884bd.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.74 грн
10+178.40 грн
100+125.23 грн
500+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf 2010
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7884bd.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7884bd.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI7884BDP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.