Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7884BDP-T1-E3
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7884bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+89.12 грн
6000+ 82.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7884BDP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI7884BDP-T1-E3 за ціною від 85.53 грн до 226.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+122.3 грн
Мінімальне замовлення: 96
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7884bd.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.91 грн
10+ 148.06 грн
100+ 119.74 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 85.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+226.67 грн
10+ 211.09 грн
25+ 207.01 грн
50+ 193.19 грн
100+ 157.53 грн
250+ 149.87 грн
500+ 130.02 грн
1000+ 109.53 грн
3000+ 107.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf 2010
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7884bd.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SI7884BDP-T1-GE3
товар відсутній