Продукція > VISHAY > SI7884BDP-T1-E3
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3 Vishay

si7884bd.pdf
Виробник: Vishay
SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.46 грн
10+132.72 грн
25+132.44 грн
100+126.17 грн
250+115.40 грн
500+109.42 грн
1000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7884BDP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7884BDP-T1-E3 за ціною від 98.25 грн до 264.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Vishay si7884bd.pdf SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+142.46 грн
106+132.72 грн
107+132.44 грн
108+126.17 грн
250+115.40 грн
500+109.42 грн
1000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 SI7884BDP-T1-E3 Vishay Siliconix si7884bd.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.79 грн
10+167.07 грн
100+117.28 грн
500+98.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 Vishay si7884bd.pdf 2010
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 si7884bd.pdf
SI7884BDP-T1-E3
Виробник: Vishay
SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+142.46 грн
106+132.72 грн
107+132.44 грн
108+126.17 грн
250+115.40 грн
500+109.42 грн
1000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 si7884bd.pdf
SI7884BDP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.79 грн
10+167.07 грн
100+117.28 грн
500+98.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-E3 si7884bd.pdf
Виробник: Vishay
2010
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.