SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 95.21 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI7884BDP-T1-GE3 за ціною від 85.02 грн до 315.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V |
на замовлення 9862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V |
на замовлення 29 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SI7884BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 9862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 284.07 грн |
| 10+ | 179.41 грн |
| 50+ | 139.01 грн |
| 100+ | 118.22 грн |
| 500+ | 98.62 грн |
| SI7884BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 315.11 грн |
| 10+ | 158.33 грн |
| 100+ | 124.89 грн |
| 500+ | 103.83 грн |
| 1000+ | 85.77 грн |
| 3000+ | 85.02 грн |