SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7884bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI7884BDP-T1-GE3 за ціною від 52.01 грн до 152.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7884bd.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.75 грн
10+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+118.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7884bd.pdf MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.38 грн
10+113.49 грн
25+97.96 грн
100+91.43 грн
500+89.26 грн
1000+87.08 грн
3000+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+142.05 грн
10+117.85 грн
25+116.68 грн
100+89.59 грн
250+82.04 грн
500+69.07 грн
1000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.98 грн
96+126.92 грн
97+125.66 грн
122+96.49 грн
250+88.35 грн
500+74.38 грн
1000+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7884bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7884bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.