SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7884bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+91.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7884BDP-T1-GE3 за ціною від 66.04 грн до 227.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7884bd.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+107.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7884bd.pdf MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.78 грн
10+132.12 грн
100+86.69 грн
500+72.60 грн
1000+70.34 грн
3000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 si7884bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.94 грн
10+107.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 si7884bd.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+227.78 грн
10+132.12 грн
100+86.69 грн
500+72.60 грн
1000+70.34 грн
3000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.