Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7884BDP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7884BDP-T1-GE3 за ціною від 67.57 грн до 117.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V |
на замовлення 5483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7884BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 78.05 грн |
| SI7884BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.37 грн |
| 25+ | 79.07 грн |
| 100+ | 76.20 грн |
| 250+ | 70.49 грн |
| 500+ | 67.62 грн |
| 1000+ | 67.57 грн |
| SI7884BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 172+ | 82.36 грн |
| 178+ | 79.37 грн |
| 179+ | 76.20 грн |
| 250+ | 70.49 грн |
| 500+ | 67.62 грн |
| 1000+ | 67.57 грн |
| SI7884BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 90.25 грн |
| SI7884BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.31 грн |
| 10+ | 106.34 грн |
| SI7884BDP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)