на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 67.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7884BDP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI7884BDP-T1-GE3 за ціною від 58.28 грн до 123.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7884BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7884BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V |
на замовлення 8528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V |
на замовлення 6043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7884BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7884BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7884BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |