Продукція > VISHAY > SI7892BDP-T1-E3
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3 Vishay

si7892bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+136.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7892BDP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7892BDP-T1-E3 за ціною від 54.37 грн до 175.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7892bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.35 грн
10+106.34 грн
100+75.86 грн
500+58.51 грн
1000+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7892bd.pdf MOSFETs 30V 25A 0.0042Ohm
на замовлення 6268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.10 грн
10+120.03 грн
100+74.43 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7892bd.pdf 09+
на замовлення 8043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7892bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Виробник : Vishay si7892bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Виробник : Vishay 73228.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7892bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.