на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.91 грн |
| 10+ | 115.91 грн |
| 100+ | 71.88 грн |
| 500+ | 62.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7892BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI7892BDP-T1-GE3 за ціною від 52.50 грн до 156.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7892BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7892BDP-T1-GE3 |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI7892BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7892BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7892BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI7892BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |