Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7898DP-T1-E3
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7898dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.31 грн
6000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7898DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7898DP-T1-E3 за ціною від 51.07 грн до 191.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+154.66 грн
10+140.28 грн
25+138.88 грн
100+107.98 грн
250+92.86 грн
500+78.37 грн
1000+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+154.66 грн
100+140.28 грн
101+138.88 грн
125+107.98 грн
250+92.86 грн
500+78.37 грн
1000+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.38 грн
10+105.16 грн
100+72.01 грн
500+54.27 грн
1000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7898dp.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 23754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.04 грн
10+102.93 грн
100+67.44 грн
500+57.94 грн
1000+53.91 грн
3000+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.