Продукція > VISHAY > SI7898DP-T1-E3
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3 Vishay


si7898dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7898DP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7898DP-T1-E3 за ціною від 52.01 грн до 172.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.55 грн
6000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+125.54 грн
10+113.87 грн
25+112.74 грн
100+87.65 грн
250+75.38 грн
500+63.62 грн
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.96 грн
10+94.18 грн
100+72.65 грн
500+60.03 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+135.20 грн
100+122.63 грн
101+121.41 грн
125+94.40 грн
250+81.18 грн
500+68.51 грн
1000+61.02 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7898dp.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 46862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.10 грн
10+118.16 грн
100+77.06 грн
250+74.12 грн
500+63.34 грн
1000+58.20 грн
3000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7898dp.pdf SI7898DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.