| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 68.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7898DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7898DP-T1-E3 за ціною від 59.41 грн до 185.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7898DP-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7898DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7898DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7898DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7898DP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 8978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7898DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.00 грн |
| SI7898DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 156.76 грн |
| 10+ | 142.18 грн |
| 25+ | 140.76 грн |
| 100+ | 109.44 грн |
| 250+ | 94.12 грн |
| 500+ | 79.43 грн |
| 1000+ | 70.75 грн |
| SI7898DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 156.76 грн |
| 100+ | 142.18 грн |
| 101+ | 140.76 грн |
| 125+ | 109.44 грн |
| 250+ | 94.12 грн |
| 500+ | 79.43 грн |
| 1000+ | 70.75 грн |
| SI7898DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.92 грн |
| 10+ | 115.12 грн |
| 50+ | 87.69 грн |
| 100+ | 73.99 грн |
| 500+ | 59.41 грн |
| SI7898DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)