SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7898dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7898DP-T1-GE3 за ціною від 58.50 грн до 195.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001112867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.9W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.79 грн
500+95.03 грн
1000+72.15 грн
3000+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001112867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.18 грн
10+141.12 грн
100+112.24 грн
500+81.23 грн
1000+63.38 грн
5000+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.85 грн
10+129.05 грн
100+93.68 грн
500+71.08 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7898dp.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.69 грн
10+143.83 грн
100+92.70 грн
250+91.22 грн
500+75.78 грн
1000+69.23 грн
3000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7898dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7898dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7898dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.