SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix


si7900aedn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SI7900AEDN-T1-E3 за ціною від 43.11 грн до 146.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7900AEDN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7900aedn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.83 грн
10+85.82 грн
100+60.73 грн
500+46.53 грн
1000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Semiconductors si7900aedn-1765727.pdf MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.37 грн
10+128.88 грн
100+86.69 грн
500+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 VISHAY si7900aedn.pdf 09+
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 si7900aedn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.83 грн
10+85.82 грн
100+60.73 грн
500+46.53 грн
1000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 si7900aedn-1765727.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.37 грн
10+128.88 грн
100+86.69 грн
500+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 si7900aedn.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.