SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 155.90 грн |
| 10+ | 137.27 грн |
| 100+ | 92.34 грн |
| 500+ | 76.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.
Інші пропозиції SI7900AEDN-T1-E3 за ціною від 52.68 грн до 162.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7900AEDN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7900AEDN-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7900AEDN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.32 грн |
| 10+ | 100.11 грн |
| SI7900AEDN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.35 грн |
| 13+ | 63.88 грн |
| 25+ | 63.78 грн |
| 100+ | 60.96 грн |
| 250+ | 55.92 грн |
| 500+ | 53.19 грн |
| 1000+ | 52.68 грн |