 
SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix
 Виробник: Vishay Siliconix
                                                Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 96.65 грн | 
| 10+ | 76.05 грн | 
| 100+ | 59.19 грн | 
| 500+ | 47.08 грн | 
| 1000+ | 38.36 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 17.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual. 
Інші пропозиції SI7904BDN-T1-E3 за ціною від 38.57 грн до 107.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SI7904BDN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |  MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 3446 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
| SI7904BDN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |  09+ | на замовлення 168 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||
|   | SI7904BDN-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | SI7904BDN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | товару немає в наявності |