Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7904BDN-T1-GE3
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7904bdn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 17.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7904BDN-T1-GE3 за ціною від 35.74 грн до 90.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7904bdn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.06 грн
10+70.86 грн
100+55.15 грн
500+43.87 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7904bdn.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
SI7904BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.06 грн
10+70.86 грн
100+55.15 грн
500+43.87 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
SI7904BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.