Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7904BDN-T1-GE3
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7904bdn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 17.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SI7904BDN-T1-GE3 за ціною від 33.60 грн до 99.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7904bdn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.84 грн
10+72.26 грн
100+56.25 грн
500+44.74 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7904bdn.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.05 грн
10+80.70 грн
100+54.42 грн
500+46.15 грн
1000+37.59 грн
3000+34.47 грн
6000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7904bd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7904bdn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7904bdn.pdf SI7904BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.