SI7913DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI7913DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.066ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.57 грн |
| 500+ | 55.18 грн |
| 1000+ | 45.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7913DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI7913DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.066ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7913DN-T1-GE3 за ціною від 45.91 грн до 127.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7913DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7913DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.066ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7913DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 3185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7913DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8 |
на замовлення 7489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI7913DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8 |
на замовлення 7489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI7913DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI7913DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7913DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7913DN-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |