Продукція > Транзистори > IGBT > SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3

72031.pdf
Код товару: 149546
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7922DN-T1-E3 за ціною від 52.79 грн до 176.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.35 грн
10+121.10 грн
100+97.34 грн
500+75.05 грн
1000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Vishay Semiconductors 72031.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.79 грн
10+111.86 грн
100+66.68 грн
500+57.02 грн
1000+52.93 грн
3000+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Vishay / Siliconix 72031-241151.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 VISHAY 72031.pdf 09+
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 72031.pdf
SI7922DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.35 грн
10+121.10 грн
100+97.34 грн
500+75.05 грн
1000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 72031.pdf
SI7922DN-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.79 грн
10+111.86 грн
100+66.68 грн
500+57.02 грн
1000+52.93 грн
3000+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 72031-241151.pdf
SI7922DN-T1-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 72031.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.