Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SI7922DN-T1-E3 за ціною від 53.49 грн до 201.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7922DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7922DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 3190 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SI7922DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 181.71 грн |
| 10+ | 112.48 грн |
| 50+ | 85.60 грн |
| 100+ | 72.18 грн |
| SI7922DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 201.88 грн |
| 10+ | 97.77 грн |
| 100+ | 75.99 грн |
| 500+ | 66.66 грн |
| 1000+ | 62.30 грн |
| 3000+ | 55.52 грн |
| 6000+ | 53.49 грн |