Продукція > Транзистори > IGBT > SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3

72031.pdf
Код товару: 149546
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7922DN-T1-E3 за ціною від 51.97 грн до 174.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.16 грн
10+119.21 грн
100+95.82 грн
500+73.88 грн
1000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 72031.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.04 грн
10+110.11 грн
100+65.64 грн
500+56.13 грн
1000+52.11 грн
3000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix 72031-241151.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 72031.pdf 09+
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.