SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.5 грн |
| 10+ | 110.02 грн |
| 100+ | 88.43 грн |
| 500+ | 68.18 грн |
| 1000+ | 56.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI7922DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7922DN-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI7922DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7922DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 3938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
SI7922DN-T1-E3 Код товару: 149546 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
| SI7922DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI7922DN-T1-E3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||
|
|
SI7922DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
товар відсутній |