Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7922DN-T1-GE3
SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

72031.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+50.05 грн
6000+ 46.38 грн
9000+ 44.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI7922DN-T1-GE3 за ціною від 47.61 грн до 117.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.46 грн
10+ 88.76 грн
100+ 70.66 грн
500+ 56.11 грн
1000+ 47.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 72031.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.13 грн
10+ 95.71 грн
100+ 66.71 грн
250+ 64.53 грн
500+ 56.21 грн
1000+ 49.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix 72031-241151.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SI7922DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72031.pdf SI7922DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній