Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7922DN-T1-GE3
SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

72031.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+57.20 грн
6000+53.01 грн
9000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI7922DN-T1-GE3 за ціною від 48.09 грн до 195.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.39 грн
10+101.44 грн
100+80.76 грн
500+64.13 грн
1000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 72031.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.52 грн
10+123.27 грн
100+72.70 грн
500+61.00 грн
1000+53.67 грн
3000+49.75 грн
6000+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix 72031-241151.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.