Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7922DN-T1-GE3
SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

72031.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.39 грн
9000+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI7922DN-T1-GE3 за ціною від 57.73 грн до 181.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.18 грн
10+112.15 грн
50+85.34 грн
100+71.97 грн
500+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 72031.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 72031.pdf
SI7922DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.18 грн
10+112.15 грн
50+85.34 грн
100+71.97 грн
500+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 72031.pdf
SI7922DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.