
SI7923DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 103.29 грн |
10+ | 90.13 грн |
100+ | 66.40 грн |
250+ | 64.51 грн |
500+ | 56.82 грн |
1000+ | 48.69 грн |
3000+ | 46.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7923DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI7923DN-T1-E3 за ціною від 52.98 грн до 119.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7923DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SI7923DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
SI7923DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
SI7923DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
товару немає в наявності |