SI7923DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 51.48 грн |
| 6000+ | 47.71 грн |
| 9000+ | 46.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7923DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7923DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7923DN-T1-GE3 за ціною від 45.21 грн до 119.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7923DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7923DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7923DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 9372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7923DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 34266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7923DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7923DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7923DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
09+ SOP16 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SI7923DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7923DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7923DN-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |