Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7938DP-T1-GE3
SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7938dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.62 грн
6000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7938DP-T1-GE3 за ціною від 46.72 грн до 173.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.63 грн
6000+53.37 грн
12000+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7938dp.pdf Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 12823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.04 грн
500+64.66 грн
1000+56.99 грн
5000+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+90.00 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 80A
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.77 грн
10+78.36 грн
14+67.28 грн
38+64.11 грн
100+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+120.81 грн
10+98.01 грн
25+97.03 грн
100+76.78 грн
250+67.39 грн
500+55.61 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7938dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 13420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.40 грн
10+86.59 грн
100+64.66 грн
500+51.63 грн
1000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.13 грн
10+97.64 грн
14+80.73 грн
38+76.93 грн
100+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7938dp.pdf Description: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.60 грн
10+106.54 грн
100+79.70 грн
500+59.91 грн
1000+52.31 грн
5000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7938dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 33590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.74 грн
10+110.10 грн
100+64.66 грн
500+53.95 грн
1000+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7938dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.