SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7938dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+43.78 грн
6000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 46W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI7938DP-T1-GE3 за ціною від 45.74 грн до 158.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7938dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 19989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.97 грн
10+95.09 грн
100+64.67 грн
500+48.47 грн
1000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7938dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 29288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.86 грн
10+101.18 грн
100+59.42 грн
500+47.48 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 19989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.97 грн
10+95.09 грн
100+64.67 грн
500+48.47 грн
1000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 29288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+158.86 грн
10+101.18 грн
100+59.42 грн
500+47.48 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.