SI7942DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 203.55 грн |
| 10+ | 180.73 грн |
| 100+ | 129.19 грн |
| 500+ | 112.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7942DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI7942DP-T1-E3 за ціною від 100.2 грн до 209.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7942DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 2571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7942DP-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI7942DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7942DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI7942DP-T1-E3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI7942DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
товар відсутній |