SI7942DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 11721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.27 грн |
| 10+ | 167.51 грн |
| 25+ | 141.99 грн |
| 100+ | 121.39 грн |
| 250+ | 117.71 грн |
| 500+ | 110.35 грн |
| 1000+ | 98.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7942DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.9A, On-state resistance: 60mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 3.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 24nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Case: PowerPAK® SO8, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7942DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7942DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
SI7942DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 |
на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7942DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.9A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
| SI7942DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.9A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Case: PowerPAK® SO8 |
товару немає в наявності |