Продукція > VISHAY > SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3 VISHAY


si7946adp.pdf Виробник: VISHAY
SI7946ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7946ADP-T1-GE3 VISHAY

Description: MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 19.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 75V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual.

Інші пропозиції SI7946ADP-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7946ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7946adp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946ADP-T1-GE3 SI7946ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7946adp.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.