на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 44.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7949DP-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.2, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7949DP-T1-E3 за ціною від 44.35 грн до 134.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
на замовлення 6973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 12237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.2 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7949DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7949DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7949DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |