SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 52.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7949DP-T1-E3 за ціною від 40.82 грн до 191.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
на замовлення 6973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 6248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7949DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |