Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7949DP-T1-E3
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix

73130.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7949DP-T1-E3 за ціною від 46.52 грн до 179.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 VISHAY 73130.pdf Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.71 грн
500+52.99 грн
1500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73130.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+94.76 грн
100+75.44 грн
500+59.90 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 VISHAY 73130.pdf Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
50+114.30 грн
100+77.71 грн
500+52.99 грн
1500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 Vishay Semiconductors 73130.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.26 грн
10+113.48 грн
100+67.31 грн
500+53.85 грн
1000+49.55 грн
3000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 VISHAY 73130.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
SI7949DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+77.71 грн
500+52.99 грн
1500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
SI7949DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.94 грн
10+94.76 грн
100+75.44 грн
500+59.90 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
SI7949DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+176.79 грн
50+114.30 грн
100+77.71 грн
500+52.99 грн
1500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
SI7949DP-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.26 грн
10+113.48 грн
100+67.31 грн
500+53.85 грн
1000+49.55 грн
3000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.