Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

на замовлення 16869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7949DP-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
SI7949DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8	на замовлення 16869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SI7949DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SI7949DP-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	на замовлення 6821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SI7949DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	на замовлення 4590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SI7949DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	на замовлення 4590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.
SI7949DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8	на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.

SI7949DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

на замовлення 16869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7949DP-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 3930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7949DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 6821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7949DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7949DP-T1-GE3

на замовлення 4590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7949DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.