на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 44.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7949DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7949DP-T1-GE3 за ціною від 45.26 грн до 130.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 17871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 5430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
на замовлення 16869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
на замовлення 16869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |