на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 39.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7949DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI7949DP-T1-GE3 за ціною від 47.04 грн до 125.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 16852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
на замовлення 16869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
на замовлення 16869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |