SI7956DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.39 грн |
| 10+ | 212.35 грн |
| 100+ | 134.63 грн |
| 500+ | 111.09 грн |
| 1000+ | 103.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7956DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual.
Інші пропозиції SI7956DP-T1-E3 за ціною від 101.17 грн до 315.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7956DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7956DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI7956DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7956DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI7956DP-T1-E3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI7956DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товару немає в наявності |