SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 326.30 грн |
| 10+ | 206.97 грн |
| 100+ | 145.84 грн |
| 500+ | 112.36 грн |
| 1000+ | 104.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual.
Інші пропозиції SI7956DP-T1-E3 за ціною від 101.81 грн до 331.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7956DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 5313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7956DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI7956DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI7956DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI7956DP-T1-E3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI7956DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товару немає в наявності |