Продукція > VISHAY > SI7956DP-T1-GE3
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3 Vishay


72960.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7956DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7956DP-T1-GE3 за ціною від 95.59 грн до 281.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 72960.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+107.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 72960.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+116.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000183991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+146.53 грн
500+112.63 грн
1000+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72960.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.26 грн
10+187.08 грн
100+134.20 грн
500+103.40 грн
1000+96.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000183991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.19 грн
10+196.18 грн
100+146.53 грн
500+112.63 грн
1000+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 72960.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.92 грн
10+210.30 грн
25+177.79 грн
100+132.80 грн
500+109.58 грн
1000+101.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 72960.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 72960.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72960.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72960.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72960.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.