Продукція > VISHAY > SI7956DP-T1-GE3
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3 Vishay

72960.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+133.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7956DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7956DP-T1-GE3 за ціною від 94.29 грн до 253.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Vishay 72960.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72960.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.24 грн
10+183.45 грн
100+131.60 грн
500+101.39 грн
1000+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors 72960.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000183991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000183991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 72960.pdf
SI7956DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+134.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 72960.pdf
SI7956DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.24 грн
10+183.45 грн
100+131.60 грн
500+101.39 грн
1000+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 72960.pdf
SI7956DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 VISH-S-A0000183991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7956DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 VISH-S-A0000183991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7956DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.