SI7964DP-T1-E3
Виробник: на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7964DP-T1-E3
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual.
Інші пропозиції SI7964DP-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7964DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
SI7964DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
SI7964DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товару немає в наявності |
|
 |
SI7964DP-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7252DP-T1-GE3 |
товару немає в наявності |