Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7972DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7972DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 22W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 22W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7972DP-T1-GE3 за ціною від 40.52 грн до 81.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7972DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 5989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
Si7972DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 24253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI7972DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7972DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 22W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 22W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7972DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 60.82 грн |
| SI7972DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 173+ | 81.85 грн |
| 192+ | 73.85 грн |
| 222+ | 63.63 грн |
| 231+ | 59.09 грн |
| 500+ | 48.20 грн |
| 1000+ | 40.52 грн |
| Si7972DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 24253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7972DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7972DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7972DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)