Si7972DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 28259 шт:
термін постачання 873-882 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.81 грн |
| 10+ | 68.25 грн |
| 100+ | 46.6 грн |
| 500+ | 40.52 грн |
| 1000+ | 34.52 грн |
| 3000+ | 28.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si7972DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 22W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual.
Інші пропозиції Si7972DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|
 |
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|
| Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||
 |
Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товар відсутній |
|
|
|
Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товар відсутній |