на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 46.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7972DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7972DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 22W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 22W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7972DP-T1-GE3 за ціною від 30.46 грн до 93.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 5989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 42225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7972DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 22W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 22W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товару немає в наявності |