Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI7994DP-T1-GE3
SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si7994dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.19 грн
10+175.17 грн
100+124.96 грн
500+119.79 грн
1000+118.31 грн
3000+109.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7994DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4600 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7994DP-T1-GE3 за ціною від 118.54 грн до 253.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7994dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.45 грн
10+205.16 грн
100+165.96 грн
500+138.45 грн
1000+118.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix si7994dp-244583.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001702755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 si7994dp.pdf
SI7994DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.45 грн
10+205.16 грн
100+165.96 грн
500+138.45 грн
1000+118.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 si7994dp-244583.pdf
SI7994DP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 VISH-S-A0001702755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7994DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.