SI7994DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.71 грн |
| 10+ | 189.99 грн |
| 100+ | 153.69 грн |
| 500+ | 128.21 грн |
| 1000+ | 109.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7994DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SI7994DP-T1-GE3 за ціною від 113.62 грн до 277.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7994DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7994DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI7994DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 13800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI7994DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI7994DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товар відсутній |