SI7997DP-T1-GE3
Код товару: 150524
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SI7997DP-T1-GE3 за ціною від 60.92 грн до 225.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 99083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
товару немає в наявності |