Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

si7997dp.pdf
Код товару: 150524
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7997DP-T1-GE3 за ціною від 61.31 грн до 227.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001245272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.65 грн
500+78.67 грн
1500+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7997dp.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 99083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.44 грн
10+138.12 грн
100+87.28 грн
500+72.62 грн
1000+68.99 грн
3000+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7997dp.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.82 грн
10+121.87 грн
100+84.08 грн
500+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001245272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+227.29 грн
50+147.45 грн
100+102.65 грн
500+78.67 грн
1500+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 VISH-S-A0001245272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7997DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+102.65 грн
500+78.67 грн
1500+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 si7997dp.pdf
SI7997DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 99083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+191.44 грн
10+138.12 грн
100+87.28 грн
500+72.62 грн
1000+68.99 грн
3000+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 si7997dp.pdf
SI7997DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.82 грн
10+121.87 грн
100+84.08 грн
500+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 VISH-S-A0001245272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7997DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+227.29 грн
50+147.45 грн
100+102.65 грн
500+78.67 грн
1500+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.