на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7998DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 40W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7998DP-T1-GE3 за ціною від 46.86 грн до 176.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7998DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7998DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 5914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7998DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
на замовлення 2057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7998DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7998DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A/30A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI7998DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A/30A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI7998DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7998DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25/30A; 22/40W Case: PowerPAK® SO8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Gate charge: 26/48nC On-state resistance: 7/12.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 25/30A Power dissipation: 22/40W Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 60...80A |
товару немає в наявності |