Продукція > VISHAY > SI7998DP-T1-GE3
SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0000694100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+54.34 грн
500+49.47 грн
1000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7998DP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 40W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7998DP-T1-GE3 за ціною від 42.73 грн до 154.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7998DP-T1-GE3 SI7998DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000694100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.48 грн
100+54.34 грн
500+49.47 грн
1000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3 SI7998DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7998dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.68 грн
10+93.95 грн
100+63.40 грн
500+53.70 грн
1000+43.78 грн
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3 SI7998DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7998dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.76 грн
10+95.39 грн
100+64.64 грн
500+48.32 грн
1000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3 VISH-S-A0000694100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7998DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+55.48 грн
100+54.34 грн
500+49.47 грн
1000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3 si7998dp.pdf
SI7998DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.68 грн
10+93.95 грн
100+63.40 грн
500+53.70 грн
1000+43.78 грн
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3 si7998dp.pdf
SI7998DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+154.76 грн
10+95.39 грн
100+64.64 грн
500+48.32 грн
1000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.