Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8406DB-T2-E1
SI8406DB-T2-E1

SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8406db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI8406DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI8406DB-T2-E1 за ціною від 14.43 грн до 48.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay si8406db.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+22.70 грн
628+22.48 грн
676+20.90 грн
682+19.96 грн
737+17.12 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay si8406db.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.88 грн
33+22.93 грн
34+22.70 грн
50+21.67 грн
100+18.66 грн
250+17.74 грн
500+16.43 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8406db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.49 грн
10+31.25 грн
100+21.37 грн
500+15.83 грн
1000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay Semiconductors si8406db.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 18101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
622+22.70 грн
628+22.48 грн
676+20.90 грн
682+19.96 грн
737+17.12 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+23.88 грн
33+22.93 грн
34+22.70 грн
50+21.67 грн
100+18.66 грн
250+17.74 грн
500+16.43 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.49 грн
10+31.25 грн
100+21.37 грн
500+15.83 грн
1000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 18101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.