Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8406DB-T2-E1
SI8406DB-T2-E1

SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8406db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI8406DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI8406DB-T2-E1 за ціною від 12.39 грн до 49.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay si8406db.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+23.51 грн
628+23.28 грн
676+21.65 грн
682+20.67 грн
737+17.73 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay si8406db.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.73 грн
33+23.75 грн
34+23.51 грн
50+22.45 грн
100+19.33 грн
250+18.37 грн
500+17.02 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay Semiconductors si8406db.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 18101 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+25.58 грн
18+17.79 грн
100+12.69 грн
500+12.61 грн
3000+12.54 грн
6000+12.46 грн
9000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8406db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.09 грн
10+31.64 грн
100+21.64 грн
500+16.02 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
622+23.51 грн
628+23.28 грн
676+21.65 грн
682+20.67 грн
737+17.73 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+24.73 грн
33+23.75 грн
34+23.51 грн
50+22.45 грн
100+19.33 грн
250+18.37 грн
500+17.02 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 18101 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.58 грн
18+17.79 грн
100+12.69 грн
500+12.61 грн
3000+12.54 грн
6000+12.46 грн
9000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
SI8406DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.09 грн
10+31.64 грн
100+21.64 грн
500+16.02 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.