SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 34.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI8409DB-T1-E1 за ціною від 29.95 грн до 132.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8409DB-T1-E1 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8409DB-T1-E1 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8409DB-T1-E1 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8409DB-T1-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V |
на замовлення 3667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8409DB-T1-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SI8409DB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 343+ | 42.71 грн |
| 348+ | 42.03 грн |
| 354+ | 41.34 грн |
| 360+ | 39.21 грн |
| 500+ | 35.70 грн |
| SI8409DB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.38 грн |
| 19+ | 42.71 грн |
| 25+ | 42.03 грн |
| 100+ | 39.87 грн |
| 250+ | 36.31 грн |
| 500+ | 34.28 грн |
| SI8409DB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 307+ | 47.65 грн |
| SI8409DB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.73 грн |
| 10+ | 74.57 грн |
| 50+ | 55.87 грн |
| 100+ | 46.77 грн |
| 500+ | 36.82 грн |
| SI8409DB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.26 грн |
| 10+ | 78.74 грн |
| 100+ | 44.97 грн |
| 500+ | 37.84 грн |
| 1000+ | 34.61 грн |
| 3000+ | 31.83 грн |
| 6000+ | 29.95 грн |