Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8409DB-T1-E1
SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix

si8409db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI8409DB-T1-E1 за ціною від 33.09 грн до 100.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Vishay si8409db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+41.24 грн
348+40.58 грн
354+39.92 грн
360+37.86 грн
500+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Vishay si8409db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.88 грн
19+41.24 грн
25+40.58 грн
100+38.49 грн
250+35.05 грн
500+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Vishay si8409db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8409db.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.89 грн
10+67.70 грн
100+49.66 грн
500+37.06 грн
1000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Vishay Semiconductors si8409db.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 VISHAY si8409db.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
SI8409DB-T1-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
343+41.24 грн
348+40.58 грн
354+39.92 грн
360+37.86 грн
500+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
SI8409DB-T1-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+41.88 грн
19+41.24 грн
25+40.58 грн
100+38.49 грн
250+35.05 грн
500+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
SI8409DB-T1-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
307+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
SI8409DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.89 грн
10+67.70 грн
100+49.66 грн
500+37.06 грн
1000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
SI8409DB-T1-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.