Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8409DB-T1-E1
SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix

si8409db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI8409DB-T1-E1 за ціною від 27.68 грн до 122.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Виробник : Vishay si8409db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
343+40.68 грн
348+40.03 грн
354+39.38 грн
360+37.35 грн
500+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Виробник : Vishay si8409db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.32 грн
19+40.68 грн
25+40.03 грн
100+37.98 грн
250+34.58 грн
500+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Виробник : Vishay si8409db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8409db.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.69 грн
10+67.57 грн
100+49.56 грн
500+36.99 грн
1000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8409db.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.23 грн
10+72.77 грн
100+41.56 грн
500+34.97 грн
1000+31.99 грн
3000+29.42 грн
6000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 Виробник : VISHAY si8409db.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Виробник : Vishay si8409db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.