Продукція > VISHAY SILICONIX > Si8410DB-T2-E1
Si8410DB-T2-E1

Si8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8410db.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V.

Інші пропозиції Si8410DB-T2-E1 за ціною від 27.30 грн до 92.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si8410DB-T2-E1 Si8410DB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8410db.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 26219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.26 грн
10+65.75 грн
100+40.66 грн
500+32.81 грн
1000+30.24 грн
3000+27.82 грн
6000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si8410DB-T2-E1 Si8410DB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8410db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+62.61 грн
100+48.75 грн
500+36.42 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8410DB-T2-E1 SI8410DB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8410db.pdf Description: VISHAY - SI8410DB-T2-E1 - MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: TrenchFET
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8410DB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8410db.pdf SI8410DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.