Si8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.88 грн |
| 10+ | 53.34 грн |
| 100+ | 41.47 грн |
| 500+ | 32.99 грн |
| 1000+ | 26.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V.
Інші пропозиції Si8410DB-T2-E1 за ціною від 26.9 грн до 74.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si8410DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 |
на замовлення 4549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8410DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8410DB-T2-E1 - MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 5.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 1.8 Bauform - Transistor: TrenchFET Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 850 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| Si8410DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 20A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 68mΩ Pulsed drain current: 20A Drain current: 5.7A Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
Si8410DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| Si8410DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 20A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 68mΩ Pulsed drain current: 20A Drain current: 5.7A Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |