Si8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 31.62 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V.
Інші пропозиції Si8410DB-T2-E1 за ціною від 28.83 грн до 118.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si8410DB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 |
на замовлення 22962 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
Si8410DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V |
на замовлення 4265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| Si8410DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 22962 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.74 грн |
| 10+ | 73.99 грн |
| 100+ | 44.14 грн |
| 500+ | 35.51 грн |
| 1000+ | 32.21 грн |
| 3000+ | 28.83 грн |
| Si8410DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.77 грн |
| 10+ | 72.36 грн |
| 50+ | 54.20 грн |
| 100+ | 45.34 грн |
| 500+ | 35.65 грн |