Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI8413DB-T1-E1

SI8413DB-T1-E1 Vishay / Siliconix

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 20V 6.5A 2.77W 48mohm @ 4.5V

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI8413DB-T1-E1 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI8413DB-T1-E1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI8413DB-T1-E1			на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI8413DB-T1-E1	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.8A 4-Pin Micro Foot T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI8413DB-T1-E1	Виробник : VISHAY	SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI8413DB-T1-E1	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI8413DB-T1-E1	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.