SI8416DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.47 грн |
| 6000+ | 18.15 грн |
| 9000+ | 16.74 грн |
| 15000+ | 15.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8416DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Vgs (Max): ±5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UFBGA.
Інші пропозиції SI8416DB-T2-E1 за ціною від 19.90 грн до 65.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8416DB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1 |
на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI8416DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFBGA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 16372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI8416DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.98 грн |
| 10+ | 42.54 грн |
| 100+ | 25.25 грн |
| 500+ | 20.82 грн |
| 1000+ | 19.90 грн |
| SI8416DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.67 грн |
| 10+ | 45.94 грн |
| 100+ | 31.39 грн |
| 500+ | 23.55 грн |
| 1000+ | 21.32 грн |