Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8416DB-T2-E1
SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8416db.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.54 грн
6000+18.21 грн
9000+16.80 грн
15000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8416DB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI8416DB-T2-E1 за ціною від 20.77 грн до 66.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8416DB-T2-E1 SI8416DB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8416db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
на замовлення 16372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+46.10 грн
100+31.50 грн
500+23.63 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 SI8416DB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8416db.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.10 грн
10+43.30 грн
100+25.98 грн
500+22.09 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 SI8416DB-T2-E1 Виробник : Vishay si8416db.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8416db.pdf SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.