Продукція > VISHAY > SI8424CDB-T1-E1
SI8424CDB-T1-E1

SI8424CDB-T1-E1 Vishay

si8424cdb.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8424CDB-T1-E1 Vishay

Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI8424CDB-T1-E1 за ціною від 9.22 грн до 50.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : Vishay si8424cdb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
841+14.51 грн
930+13.12 грн
940+12.99 грн
988+11.91 грн
1056+10.32 грн
3000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 841
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : Vishay si8424cdb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : Vishay si8424cdb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+16.89 грн
45+15.55 грн
100+13.56 грн
250+12.43 грн
500+11.35 грн
1000+10.61 грн
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001228924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.73 грн
500+18.49 грн
1000+14.65 грн
5000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001228924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.00 грн
33+26.06 грн
100+19.57 грн
500+16.11 грн
1000+13.04 грн
5000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8424cdb.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.72 грн
13+27.15 грн
100+17.59 грн
500+16.91 грн
1000+14.62 грн
3000+14.24 грн
6000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8424cdb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.26 грн
10+32.05 грн
100+21.88 грн
500+16.19 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : Vishay si8424cdb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : Vishay si8424cdb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 Виробник : VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8424cdb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 Виробник : VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.