на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8424CDB-T1-E1 Vishay
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI8424CDB-T1-E1 за ціною від 9.36 грн до 50.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 |
на замовлення 6100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI8424CDB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: MICROFOOT® 1.6x1.6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±5V Drain-source voltage: 8V Drain current: 10A Pulsed drain current: 25A |
товару немає в наявності |