Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8424CDB-T1-E1 Vishay
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 2.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Інші пропозиції SI8424CDB-T1-E1 за ціною від 10.62 грн до 46.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8424CDB-T1-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8424CDB-T1-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-Microfoot Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8424CDB-T1-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 |
на замовлення 6100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI8424CDB-T1-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 17400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI8424CDB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.66 грн |
| SI8424CDB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 841+ | 16.71 грн |
| 930+ | 15.11 грн |
| 940+ | 14.96 грн |
| 988+ | 13.72 грн |
| 1056+ | 11.88 грн |
| 3000+ | 10.62 грн |
| SI8424CDB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 18.15 грн |
| 45+ | 16.71 грн |
| 100+ | 14.57 грн |
| 250+ | 13.35 грн |
| 500+ | 12.19 грн |
| 1000+ | 11.41 грн |
| 3000+ | 10.62 грн |
| SI8424CDB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.95 грн |
| 10+ | 29.95 грн |
| 100+ | 20.44 грн |
| 500+ | 15.12 грн |
| 1000+ | 13.78 грн |
| SI8424CDB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI8424CDB-T1-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)