на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.66 грн |
| 6000+ | 15.78 грн |
| 9000+ | 15.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8425DB-T1-E1 Vishay
Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI8425DB-T1-E1 за ціною від 15.75 грн до 59.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 5745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 |
на замовлення 5475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 5745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI8425DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |