SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI8425DB-T1-E1 за ціною від 14.69 грн до 39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.3A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI8425DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SI8425DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8425DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 0.018 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 9.3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 2.7 Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 900 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI8425DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.3A; Idm: -25A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: MICROFOOT® 1.6x1.6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2.7W On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: -25A Drain current: -9.3A Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC Drain-source voltage: -20V Gate-source voltage: ±10V Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI8425DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.3A; Idm: -25A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: MICROFOOT® 1.6x1.6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2.7W On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: -25A Drain current: -9.3A Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC Drain-source voltage: -20V Gate-source voltage: ±10V Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |