SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 4 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.23 грн |
| 6000+ | 24.97 грн |
| 9000+ | 23.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.77W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.77W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI8429DB-T1-E1 за ціною від 26.14 грн до 67.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8429DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.77W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI8429DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 4 V |
на замовлення 20174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI8429DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V |
на замовлення 3089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI8429DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.77W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.77W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI8429DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: MICROFOOT® 1.6x1.6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 6.25W On-state resistance: 98mΩ Pulsed drain current: -25A Drain current: -11.7A Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC Drain-source voltage: -8V Gate-source voltage: ±5V Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SI8429DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 8V 11.7A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI8429DB-T1-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: MICROFOOT® 1.6x1.6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 6.25W On-state resistance: 98mΩ Pulsed drain current: -25A Drain current: -11.7A Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC Drain-source voltage: -8V Gate-source voltage: ±5V Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |