| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 58.49 грн |
| 14+ | 55.61 грн |
| 25+ | 55.07 грн |
| 100+ | 47.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8429DB-T1-E1 Vishay
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.77W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.77W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI8429DB-T1-E1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8429DB-T1-E1 | Vishay Semiconductors |
 MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V |
на замовлення 3089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI8429DB-T1-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.77W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.77W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SI8429DB-T1-E1 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 8V 11.7A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
SI8429DB-T1-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.77W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI8429DB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V
MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI8429DB-T1-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.77W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.77W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI8429DB-T1-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 8V 11.7A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET P-CH Si 8V 11.7A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI8429DB-T1-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.77W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.77W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)