SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI8457DB-T1-E1 за ціною від 11.23 грн до 67.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8457DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8457DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 |
на замовлення 4378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8457DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8457DB-T1-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V |
на замовлення 5409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI8457DB-T1-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |