Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8457DB-T1-E1
SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

si8457db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-UFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI8457DB-T1-E1 за ціною від 13.49 грн до 63.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+24.60 грн
650+21.63 грн
664+21.18 грн
738+18.37 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.32 грн
31+24.60 грн
100+20.85 грн
250+18.91 грн
500+16.33 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.12 грн
10+37.95 грн
100+24.60 грн
500+17.69 грн
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Semiconductors si8457db.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
572+24.60 грн
650+21.63 грн
664+21.18 грн
738+18.37 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.32 грн
31+24.60 грн
100+20.85 грн
250+18.91 грн
500+16.33 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.12 грн
10+37.95 грн
100+24.60 грн
500+17.69 грн
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.