Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8457DB-T1-E1
SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

si8457db.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI8457DB-T1-E1 за ціною від 10.85 грн до 65.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Виробник : Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+21.17 грн
31+19.79 грн
100+16.78 грн
250+15.21 грн
500+13.14 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Виробник : Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
572+21.31 грн
650+18.74 грн
664+18.35 грн
738+15.92 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 572
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8457db.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 8068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.84 грн
12+29.37 грн
100+18.35 грн
500+15.12 грн
1000+14.16 грн
3000+11.82 грн
9000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+39.14 грн
100+25.37 грн
500+18.25 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Виробник : Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 Виробник : VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.