Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8457DB-T1-E1
SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

si8457db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI8457DB-T1-E1 за ціною від 14.03 грн до 88.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+25.59 грн
650+22.50 грн
664+22.03 грн
738+19.11 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay si8457db.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.38 грн
31+25.59 грн
100+21.70 грн
250+19.67 грн
500+16.99 грн
1000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.56 грн
10+49.18 грн
50+36.39 грн
100+30.26 грн
500+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Semiconductors si8457db.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+88.46 грн
10+54.56 грн
100+31.16 грн
500+24.10 грн
1000+21.85 грн
3000+18.84 грн
6000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
572+25.59 грн
650+22.50 грн
664+22.03 грн
738+19.11 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 10.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+27.38 грн
31+25.59 грн
100+21.70 грн
250+19.67 грн
500+16.99 грн
1000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.56 грн
10+49.18 грн
50+36.39 грн
100+30.26 грн
500+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.46 грн
10+54.56 грн
100+31.16 грн
500+24.10 грн
1000+21.85 грн
3000+18.84 грн
6000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.