Інші пропозиції SI8466EDB-T2-E1 за ціною від 13.29 грн до 56.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8466EDB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 |
на замовлення 5718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SI8466EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-Microfoot Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SI8466EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| SI8466EDB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 20.43 грн |
| 21+ | 15.69 грн |
| 100+ | 13.43 грн |
| 6000+ | 13.29 грн |
| SI8466EDB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.96 грн |
| SI8466EDB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.42 грн |