Продукція > VISHAY > SI8466EDB-T2-E1
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1 Vishay

si8466edb.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+18.19 грн
43+16.51 грн
44+16.17 грн
100+14.50 грн
250+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8466EDB-T2-E1 Vishay

Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI8466EDB-T2-E1 за ціною від 14.40 грн до 59.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8466edb.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.13 грн
21+16.99 грн
100+14.55 грн
6000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8466edb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8466edb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1
Код товару: 209156
Додати до обраних Обраний товар

si8466edb.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8466edb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8466edb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8466edb.pdf SI8466EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8466edb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.