Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

si8466edb.pdf
Код товару: 209156
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI8466EDB-T2-E1 за ціною від 11.94 грн до 57.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8466edb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.19 грн
9000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Vishay si8466edb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.38 грн
43+18.50 грн
44+18.11 грн
100+16.25 грн
250+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors si8466edb.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
15+21.86 грн
19+16.79 грн
100+14.37 грн
6000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8466edb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
на замовлення 19918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.13 грн
10+34.00 грн
50+24.86 грн
100+20.57 грн
500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Vishay si8466edb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8466edb.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
SI8466EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.19 грн
9000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
SI8466EDB-T2-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+20.38 грн
43+18.50 грн
44+18.11 грн
100+16.25 грн
250+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
SI8466EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.86 грн
19+16.79 грн
100+14.37 грн
6000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
SI8466EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
на замовлення 19918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.13 грн
10+34.00 грн
50+24.86 грн
100+20.57 грн
500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
SI8466EDB-T2-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.