на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 16.03 грн |
| 41+ | 14.93 грн |
| 43+ | 14.25 грн |
| 100+ | 12.95 грн |
| 250+ | 11.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8466EDB-T2-E1 Vishay
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V.
Інші пропозиції SI8466EDB-T2-E1 за ціною від 13.87 грн до 57.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
SI8466EDB-T2-E1 Код товару: 209156
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 8V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±5V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 8V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±5V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |