Інші пропозиції SI8466EDB-T2-E1 за ціною від 11.69 грн до 56.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 |
на замовлення 5718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI8466EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V |
товару немає в наявності |