Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8472DB-T2-E1 Vishay
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI8472DB-T2-E1 за ціною від 9.55 грн до 36.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8472DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOTCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V |
на замовлення 6297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8472DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SI8472DB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI8472DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.22 грн |
| 6000+ | 11.55 грн |
| SI8472DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 14.76 грн |
| 62+ | 12.28 грн |
| 63+ | 12.09 грн |
| 64+ | 11.48 грн |
| 100+ | 10.46 грн |
| 250+ | 9.87 грн |
| 500+ | 9.71 грн |
| 1000+ | 9.55 грн |
| SI8472DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.85 грн |
| SI8472DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.91 грн |
| SI8472DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.76 грн |
| 13+ | 23.80 грн |
| 100+ | 17.28 грн |
| 500+ | 14.45 грн |
| 1000+ | 13.38 грн |
| SI8472DB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI8472DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI8472DB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)