на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1267+ | 9.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8472DB-T2-E1 Vishay
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI8472DB-T2-E1 за ціною від 8.82 грн до 38.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V |
на замовлення 6297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SI8472DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SI8472DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |