Інші пропозиції SI8483DB-T2-E1 за ціною від 9.64 грн до 50.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8483DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8483DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8483DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1 |
на замовлення 45924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8483DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8483DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V |
на замовлення 16799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|