Інші пропозиції SI8483DB-T2-E1 за ціною від 10.78 грн до 50.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8483DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOTInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) FET Type: P-Channel |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI8483DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT Package / Case: 6-UFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 16799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI8483DB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1 |
на замовлення 45924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI8483DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI8483DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI8483DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.00 грн |
| 6000+ | 12.11 грн |
| 9000+ | 11.70 грн |
| 15000+ | 10.78 грн |
| SI8483DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.03 грн |
| 10+ | 31.43 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| 500+ | 16.79 грн |
| 1000+ | 15.12 грн |
| SI8483DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
на замовлення 45924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI8483DB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI8483DB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)