Продукція > VISHAY > SI8487DB-T1-E1
SI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1 Vishay

si8487db.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8487DB-T1-E1 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI8487DB-T1-E1 за ціною від 13.70 грн до 78.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : Vishay doc63483.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : Vishay doc63483.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8487db.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.44 грн
10+43.98 грн
100+25.37 грн
500+19.72 грн
1000+17.31 грн
3000+15.28 грн
6000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE551737A5FB820&compId=si8487db.pdf?ci_sign=c1b22e74a4c347447c92beac4d4a8d58c0cd7dd9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 1.8/0.73W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Power dissipation: 1.8/0.73W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.02 грн
11+37.56 грн
54+17.17 грн
148+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : Vishay doc63483.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+67.92 грн
265+46.12 грн
500+32.13 грн
1000+28.94 грн
3000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8487db.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.10 грн
10+44.38 грн
100+28.88 грн
500+20.84 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE551737A5FB820&compId=si8487db.pdf?ci_sign=c1b22e74a4c347447c92beac4d4a8d58c0cd7dd9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 1.8/0.73W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Power dissipation: 1.8/0.73W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.03 грн
10+46.81 грн
54+20.61 грн
148+19.48 грн
3000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : Vishay doc63483.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8487db.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.