
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8489EDB-T2-E1 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI8489EDB-T2-E1 за ціною від 9.64 грн до 45.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI8489EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI8489EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI8489EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 12344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI8489EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SI8489EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SI8489EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
SI8489EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
SI8489EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |