Продукція > VISHAY > SI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1

SI8489EDB-T2-E1 Vishay

si8489edb.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8489EDB-T2-E1 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI8489EDB-T2-E1 за ціною від 9.61 грн до 45.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8489edb.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8489edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
10+30.73 грн
100+21.18 грн
500+15.13 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8489edb.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 12344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.38 грн
11+33.08 грн
100+19.01 грн
500+14.68 грн
1000+13.14 грн
3000+9.83 грн
9000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8489edb.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8489edb.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8489edb.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8489edb.pdf SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8489edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.