Продукція > VISHAY > SI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1

SI8489EDB-T2-E1 Vishay

si8489edb.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8489EDB-T2-E1 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI8489EDB-T2-E1 за ціною від 10.36 грн до 62.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Vishay si8489edb.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors si8489edb.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 9402 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+40.64 грн
12+26.94 грн
100+18.24 грн
500+14.26 грн
1000+12.01 грн
3000+11.11 грн
6000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8489edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.55 грн
10+37.36 грн
50+27.40 грн
100+22.70 грн
500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8489edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
SI8489EDB-T2-E1
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
SI8489EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
на замовлення 9402 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.64 грн
12+26.94 грн
100+18.24 грн
500+14.26 грн
1000+12.01 грн
3000+11.11 грн
6000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
SI8489EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.55 грн
10+37.36 грн
50+27.40 грн
100+22.70 грн
500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
SI8489EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1510 шт
В кошику  од. на суму  грн.