SI8497DB-T2-E1 Vishay Semiconductors
на замовлення 5107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.07 грн |
| 10+ | 34.45 грн |
| 100+ | 22.39 грн |
| 500+ | 17.6 грн |
| 1000+ | 13.68 грн |
| 9000+ | 13.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8497DB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 13W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 49nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: -20A, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -13A, On-state resistance: 0.12Ω, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI8497DB-T2-E1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8497DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT |
на замовлення 3713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SI8497DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SI8497DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|
| SI8497DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 49nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A On-state resistance: 0.12Ω кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
| SI8497DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 49nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A On-state resistance: 0.12Ω |
товар відсутній |