
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 14.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8499DB-T2-E1 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI8499DB-T2-E1 за ціною від 13.28 грн до 63.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
SI8499DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |