Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8800EDB-T2-E1
SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8800edb.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.86 грн
6000+10.67 грн
9000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SI8800EDB-T2-E1 за ціною від 11.23 грн до 50.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8800edb.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 56713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.68 грн
16+22.11 грн
100+15.93 грн
500+13.87 грн
1000+12.40 грн
9000+11.96 грн
24000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8800edb.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V
на замовлення 10724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.81 грн
10+31.50 грн
100+20.82 грн
500+14.98 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8800edb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8800edb.pdf SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.