SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
на замовлення 56713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 25.96 грн |
| 16+ | 20.01 грн |
| 100+ | 14.41 грн |
| 500+ | 12.55 грн |
| 1000+ | 11.23 грн |
| 9000+ | 10.83 грн |
| 24000+ | 10.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 0.9W, Gate charge: 8.3nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 2.8A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±8V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.15Ω, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI8800EDB-T2-E1 за ціною від 26.99 грн до 33.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||
| SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A Mounting: SMD Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 0.9W Gate charge: 8.3nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 2.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.15Ω кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
товар відсутній |
|||||||
| SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A Mounting: SMD Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 0.9W Gate charge: 8.3nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 2.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.15Ω |
товар відсутній |