SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.94 грн |
| 6000+ | 8.74 грн |
| 9000+ | 8.32 грн |
| 15000+ | 7.37 грн |
| 21000+ | 7.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI8802DB-T2-E1 за ціною від 10.52 грн до 43.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8802DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 22280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI8802DB-T2-E1 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
на замовлення 5917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI8802DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI8802DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.00 грн |
| SI8802DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.04 грн |
| SI8802DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 876+ | 16.04 грн |
| 883+ | 15.92 грн |
| 1000+ | 15.58 грн |
| SI8802DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 22280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.10 грн |
| 12+ | 25.72 грн |
| 100+ | 16.51 грн |
| 500+ | 11.73 грн |
| 1000+ | 10.52 грн |
| SI8802DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI8802DB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI8802DB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)