SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.16 грн |
| 6000+ | 8.45 грн |
| 9000+ | 7.61 грн |
| 30000+ | 7.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.044 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Інші пропозиції SI8802DB-T2-E1 за ціною від 6.99 грн до 37.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.044 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.044 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 35190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
на замовлення 7902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI8802DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| SI8802DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 8V Drain current: 3.5A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| SI8802DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 8V Drain current: 3.5A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |