Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8806DB-T2-E1
SI8806DB-T2-E1

SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8806db.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SI8806DB-T2-E1 за ціною від 9.17 грн до 55.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 Виробник : Vishay / Siliconix si8806db.pdf MOSFETs 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 16087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.13 грн
12+30.77 грн
100+18.42 грн
500+14.10 грн
1000+12.36 грн
3000+9.55 грн
6000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8806db.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.76 грн
10+33.40 грн
100+21.46 грн
500+15.31 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 Виробник : Vishay si8806db.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 3.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.