SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.01 грн |
| 9000+ | 10.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-UFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI8808DB-T2-E1 за ціною від 10.43 грн до 52.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI8808DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-Microfoot Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 18630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI8808DB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI8808DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI8808DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.22 грн |
| 10+ | 30.86 грн |
| 50+ | 22.52 грн |
| 100+ | 18.59 грн |
| 500+ | 14.12 грн |
| SI8808DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI8808DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 14.95 грн |
| 52+ | 14.49 грн |
| 53+ | 14.35 грн |
| 100+ | 13.20 грн |
| 250+ | 12.21 грн |
| 500+ | 11.06 грн |
| 1000+ | 10.43 грн |