Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8808db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.06 грн
9000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI8808DB-T2-E1 за ціною від 8.18 грн до 52.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 Vishay Semiconductors si8808db.pdf MOSFETs 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+43.71 грн
11+29.35 грн
100+17.87 грн
500+13.66 грн
1000+12.24 грн
3000+8.56 грн
6000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8808db.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.26 грн
10+31.03 грн
50+22.63 грн
100+18.68 грн
500+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 Vishay si8808db.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.48 грн
52+15.01 грн
53+14.86 грн
100+13.67 грн
250+12.64 грн
500+11.45 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
SI8808DB-T2-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.71 грн
11+29.35 грн
100+17.87 грн
500+13.66 грн
1000+12.24 грн
3000+8.56 грн
6000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
SI8808DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.26 грн
10+31.03 грн
50+22.63 грн
100+18.68 грн
500+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+15.48 грн
52+15.01 грн
53+14.86 грн
100+13.67 грн
250+12.64 грн
500+11.45 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.