Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1 Vishay Semiconductors

si8808db.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 16699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.25 грн
12+28.78 грн
100+17.47 грн
500+13.65 грн
1000+11.08 грн
3000+9.32 грн
9000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8808DB-T2-E1 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI8808DB-T2-E1 за ціною від 13.02 грн до 45.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8808db.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
11+29.36 грн
100+19.33 грн
500+14.50 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 Виробник : Vishay si8808db.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8808db.pdf SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8808db.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.