SI8810EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
на замовлення 15178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.95 грн |
| 12+ | 27.03 грн |
| 100+ | 15.05 грн |
| 1000+ | 9.06 грн |
| 3000+ | 8.26 грн |
| 9000+ | 7.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8810EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI8810EDB-T2-E1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8810EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SI8810EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|
|
|
SI8810EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|
 |
SI8810EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|
| SI8810EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SI8810EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
| SI8810EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |