Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8810EDB-T2-E1
SI8810EDB-T2-E1

SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8810edb.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.21 грн
6000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI8810EDB-T2-E1 за ціною від 8.17 грн до 40.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8810edb.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 15178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.51 грн
12+29.87 грн
100+16.63 грн
1000+10.01 грн
3000+9.12 грн
9000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8810edb.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 8452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
13+25.21 грн
100+13.41 грн
500+12.03 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8810edb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8810edb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8810edb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8810edb.pdf SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.